Name: IPD65R380E6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R380E6ATMA1TR-ND
Price: 444.4 JPY
Availability: InStock

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IPD65R380E6ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPD65R380E6ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPD65R380E6ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPD65R380E6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD65R380E6ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 10.6A（Tc） 83W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD65R380E6ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 320µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 39 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ E6	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 710 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 83W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10.6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPD65R380
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 380ミリオーム @ 3.2A、10V

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代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STD16N60M2	STMicroelectronics	3,413	497-15461-1-ND	¥200.35000	類似

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テープ＆リール（TR）

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単価（消費税抜き）:	¥404.00000
単価（消費税込み）:	¥444.40000

IPD65R380E6ATMA1