Name: IPD60R3K4CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R3K4CEAUMA1TR-ND
Price: 166.1 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IPD60R3K4CEAUMA1
DigiKey製品番号	448-IPD60R3K4CEAUMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPD60R3K4CEAUMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPD60R3K4CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD60R3K4CEAUMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 2.6A（Tc） 29W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD60R3K4CEAUMA1 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 40µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 4.6 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ CE	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 93 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 29W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2.6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPD60R
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.4オーム @ 500mA、10V