Name: IPD60R1K4C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R1K4C6ATMA1TR-ND
Price: 293.7 JPY
Availability: InStock

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IPD60R1K4C6ATMA1
DigiKey製品番号	IPD60R1K4C6ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPD60R1K4C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD60R1K4C6ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD60R1K4C6ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 90µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9.4 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ C6	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 200 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 28.4W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 3.2A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPD60R
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.4オーム @ 1.1A、10V

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関連リソース

代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STD5N80K5	STMicroelectronics	1,366	497-16929-1-ND	¥409.00000	類似
STD6N62K3	STMicroelectronics	36	497-STD6N62K3CT-ND	¥487.00000	類似

在庫：210個

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