Name: IPD50N10S3L16ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N10S3L16ATMA2TR-ND
Price: 638 JPY
Availability: InStock

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IPD50N10S3L16ATMA2
DigiKey製品番号	448-IPD50N10S3L16ATMA2TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPD50N10S3L16ATMA2CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPD50N10S3L16ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD50N10S3L16ATMA2
商品概要	MOSFET_(75V 120V(
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 50A（Tc） 100W（Tc）面実装 PG-TO252-3-11
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD50N10S3L16ATMA2 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 64 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4180 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 100W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 15ミリオーム @ 50A、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.4V @ 60µA