Name: IPD30N10S3L34ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N10S3L34ATMA1TR-ND
Price: 387.2 JPY
Availability: InStock

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IPD30N10S3L34ATMA1
DigiKey製品番号	IPD30N10S3L34ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPD30N10S3L34ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD30N10S3L34ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 30A（Tc） 57W（Tc）面実装 PG-TO252-3-11
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 31 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ OptiMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1976 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 57W（Tc）
部品状況新規設計向けに不適合	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 31ミリオーム @ 30A、10V	ベース品番 IPD30N10
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.4V @ 29µA

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関連リソース

代替品リスト（22）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IRFR1205TRPBF	Infineon Technologies	34,294	IRFR1205PBFCT-ND	¥273.00000	類似
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IRFR3410TRPBF	Infineon Technologies	958	IRFR3410TRPBFCT-ND	¥266.00000	類似