Name: IPD30N06S2L13ATMA4
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L13ATMA4TR-ND
Price: 445.5 JPY
Availability: InStock

IPD30N06S2L13ATMA4
DigiKey製品番号	IPD30N06S2L13ATMA4TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND - カットテープ（CT） IPD30N06S2L13ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD30N06S2L13ATMA4
商品概要	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 55 V 30A（Tc） 136W（Tc）面実装 PG-TO252-3-11
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD30N06S2L13ATMA4 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	55 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	30A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	13ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 80µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	69 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1800 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	136W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	IPD30N06

数量	単価	請求価格
2,500	¥102.81720	¥257,043
5,000	¥100.35040	¥501,752

単価（消費税抜き）:	¥405.00000
単価（消費税込み）:	¥445.50000

IPD30N06S2L13ATMA4