Name: IPD30N06S2L13ATMA4
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L13ATMA4TR-ND
Price: 433.4 JPY
Availability: InStock

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IPD30N06S2L13ATMA4
DigiKey製品番号	IPD30N06S2L13ATMA4TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND - カットテープ（CT） IPD30N06S2L13ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD30N06S2L13ATMA4
商品概要	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 55 V 30A（Tc） 136W（Tc）面実装 PG-TO252-3-11
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD30N06S2L13ATMA4 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 69 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ OptiMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1800 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 136W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 55 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13ミリオーム @ 30A、10V	ベース品番 IPD30N06
Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 80µA