Name: IPB80N06S209ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S209ATMA2TR-ND
Price: 629.2 JPY
Availability: InStock

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IPB80N06S209ATMA2
DigiKey製品番号	IPB80N06S209ATMA2TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB80N06S209ATMA2CT-ND - カットテープ（CT） IPB80N06S209ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB80N06S209ATMA2
商品概要	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 55 V 80A（Tc） 190W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB80N06S209ATMA2 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 80 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ OptiMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2360 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 190W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 55 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 80A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8.8ミリオーム @ 50A、10V	ベース品番 IPB80N
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 125µA