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IPB65R099C6ATMA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | IPB65R099C6ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IPB65R099C6ATMA1 |
商品概要 | MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 38A（Tc） 278W（Tc） 面実装 PG-TO263-3 |
データシート | データシート |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ＆リール（TR） | |
部品状況 | DigiKeyでは取扱い終了 | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 99ミリオーム @ 12.8A、10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 3.5V @ 1.2mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 127 nC @ 10 V | |
Vgs（最大） | ±20V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 2780 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 278W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
0 個在庫あり
日本