Name: IPB60R160P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND
Price: 697.4 JPY
Availability: InStock

IPB60R160P6ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPB60R160P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB60R160P6ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 23.8A（Tc） 176W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB60R160P6ATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolMOS™ P6
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	23.8A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	160ミリオーム @ 9A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.5V @ 750µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	44 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2080 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	176W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	IPB60R160

数量	単価	請求価格
1,000	¥221.19900	¥221,199
2,000	¥211.25450	¥422,509

単価（消費税抜き）:	¥634.00000
単価（消費税込み）:	¥697.40000

IPB60R160P6ATMA1