Name: IPB60R125CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R125CPATMA1TR-ND
Price: 1083.5 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

IPB60R125CPATMA1
DigiKey製品番号	IPB60R125CPATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB60R125CPATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB60R125CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB60R125CPATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 25A（Tc） 208W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB60R125CPATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolMOS™ CP
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	購入可能最終日あり
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	25A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	125ミリオーム @ 16A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 1.1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	70 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2500 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	208W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	IPB60R125