Name: IPB60R099CPAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R099CPAATMA1TR-ND
Price: 1809.5 JPY
Availability: InStock

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IPB60R099CPAATMA1
DigiKey製品番号	448-IPB60R099CPAATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPB60R099CPAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB60R099CPAATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 31A（Tc） 255W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB60R099CPAATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 80 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ CoolMOS™ CP	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2800 pF @ 100 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 255W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 31A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 105ミリオーム @ 18A、10V	ベース品番 IPB60R099
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 1.2mA

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FCB110N65F	onsemi	651	FCB110N65FCT-ND	¥1,383.00000	類似
STB34NM60N	STMicroelectronics	387	497-12236-1-ND	¥1,896.00000	類似
STB37N60DM2AG	STMicroelectronics	1,115	497-16105-1-ND	¥1,369.00000	類似
STB40N60M2	STMicroelectronics	730	497-14963-1-ND	¥1,047.00000	類似