Name: IPB600N25N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB600N25N3GATMA1TR-ND
Price: 704 JPY
Availability: InStock

IPB600N25N3GATMA1
DigiKey製品番号	IPB600N25N3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB600N25N3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB600N25N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB600N25N3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	48 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 250 V 25A（Tc） 136W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB600N25N3GATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	250 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	25A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	60ミリオーム @ 25A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 90µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	29 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2350 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	136W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	IPB600

単価（消費税抜き）:	¥640.00000
単価（消費税込み）:	¥704.00000

IPB600N25N3GATMA1