Name: IPB095N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 1065.9 JPY
Availability: InStock

新製品

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IPB095N20NM6ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPB095N20NM6ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPB095N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB095N20NM6ATMA1
商品概要	IPB095N20NM6ATMA1
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 13A（Ta）、116A（Tc） 3.8W（Ta）、300W（Tc）面実装 PG-TO263-3-U01
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB095N20NM6ATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 6
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	13A（Ta）、116A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V、15V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	8.7ミリオーム @ 62A、15V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.5V @ 186µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	66 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5500 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.8W（Ta）、300W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3-U01
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB