Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 1173.7 JPY
Availability: InStock

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IPB038N12N3GATMA1
DigiKey製品番号	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB038N12N3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB038N12N3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 120 V 120A（Tc） 300W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB038N12N3GATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 270µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 211 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 13800 pF @ 60 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 300W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 120 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPB038
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.8ミリオーム @ 100A、10V