Name: IPB029N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GATMA1TR-ND
Price: 665.5 JPY
Availability: InStock

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IPB029N06N3GATMA1
DigiKey製品番号	IPB029N06N3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB029N06N3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB029N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB029N06N3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 120A（Tc） 188W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB029N06N3GATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 118µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 165 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 13000 pF @ 30 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 188W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPB029
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.9ミリオーム @ 100A、10V

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関連リソース

代替品リスト（8）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPB029N06NF2SATMA1	Infineon Technologies	1,337	448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND	¥542.00000	メーカー推奨品
IRFS3206TRRPBF	Infineon Technologies	0	IRFS3206TRRPBFCT-ND	¥664.00000	類似
BUK763R1-60E,118	Nexperia USA Inc.	7,783	1727-7252-1-ND	¥724.00000	類似
FDB029N06	onsemi	16,133	FDB029N06TR-ND	¥751.33333	類似
FDB035AN06A0	onsemi	4,635	FDB035AN06A0CT-ND	¥1,142.00000	類似

在庫：2,461個

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最終購入期限：2026/09/30

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