Name: IPB026N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB026N06NATMA1TR-ND
Price: 613.8 JPY
Availability: InStock

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IPB026N06NATMA1
DigiKey製品番号	IPB026N06NATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB026N06NATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB026N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB026N06NATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	19 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 25A（Ta）、100A（Tc） 3W（Ta）、136W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB026N06NATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.8V @ 75µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 56 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4100 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3W（Ta）、136W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 25A（Ta）、100A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 IPB026
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.6ミリオーム @ 100A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
2SK3812-ZP-E1-AZ	Renesas Electronics Corporation	1,305	559-2SK3812-ZP-E1-AZCT-ND	¥1,226.00000	類似
BUK762R6-60E,118	Nexperia USA Inc.	1,815	1727-BUK762R6-60E,118CT-ND	¥789.00000	類似
BUK962R8-60E,118	Nexperia USA Inc.	38	1727-1096-1-ND	¥789.00000	類似
SQM50020EL_GE3	Vishay Siliconix	168	SQM50020EL_GE3CT-ND	¥818.00000	類似
STH260N6F6-2	STMicroelectronics	968	497-STH260N6F6-2CT-ND	¥914.00000	類似