Name: IPB024N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND
Price: 841.5 JPY
Availability: InStock

IPB024N10N5ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPB024N10N5ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPB024N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB024N10N5ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 180A（Tc） 250W（Tc）面実装 PG-TO263-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB024N10N5ATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	180A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.4ミリオーム @ 90A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.8V @ 183µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	138 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	10200 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	250W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-7
パッケージ/ケース	TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
ベース品番	IPB024

数量	単価	請求価格
1,000	¥275.46800	¥275,468
2,000	¥272.12800	¥544,256

IPB024N10N5ATMA1

単価（消費税抜き）:	¥765.00000
単価（消費税込み）:	¥841.50000