Name: IMZC120R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Price: 3192.2 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 25ミリオーム @ 27A、18V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.1V @ 8.6mA
シリーズ CoolSiC™ G2	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 60 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +23V、-7V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1990 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 289W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 69A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-4-17
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	パッケージ/ケース TO-247-4