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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IMW65R057M1HXKSA1 |
商品概要 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 35A（Tc） 133W（Tc） スルーホール PG-TO247-3-41 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IMW65R057M1HXKSA1 モデル |
製品属性
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 5.7V @ 5mA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 28 nC @ 18 V |
シリーズ | Vgs（最大） +20V、-2V |
梱包形態 チューブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 930 pF @ 400 V |
部品状況 新規設計向けに不適合 | 電力散逸（最大） 133W（Tc） |
FETタイプ | 動作温度 -55°C～175°C（TJ） |
技術 | 取り付けタイプ スルーホール |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V | サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-41 |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | パッケージ/ケース |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 74ミリオーム @ 16.7A、18V |
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チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,762.00000 | ¥1,762 |
| 30 | ¥1,027.53333 | ¥30,826 |
| 120 | ¥866.38333 | ¥103,966 |
| 510 | ¥748.32745 | ¥381,647 |
| 1,020 | ¥705.27843 | ¥719,384 |
| 2,010 | ¥669.81791 | ¥1,346,334 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥1,762.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥1,938.20000 |
