Name: IMTA65R033M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND
Price: 1780.9 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IMTA65R033M2HXTMA1
DigiKey製品番号	448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IMTA65R033M2HXTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IMTA65R033M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IMTA65R033M2HXTMA1
商品概要	SILICON CARBIDE MOSFET
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 68A（Tc） 315W（Tc）面実装 PG-LHSOF-4-1
データシート	データシート

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 30ミリオーム @ 27.9A、20V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.6V @ 5.7mA
シリーズ CoolSiC™	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 34 nC @ 18 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） +23V、-7V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1214 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 315W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 68A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-LHSOF-4-1
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、20V	パッケージ/ケース 4-PowerLSFN