Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 1312.3 JPY
Availability: InStock

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IMBF170R650M1XTMA1
DigiKey製品番号	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IMBF170R650M1XTMA1
商品概要	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
メーカーの標準リードタイム	54 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1700 V 7.4A（Tc） 88W（Tc）面実装 PG-TO263-7-13
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IMBF170R650M1XTMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.7V @ 1.7mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 8 nC @ 12 V
シリーズ CoolSiC™	Vgs（最大） +20V、-10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 422 pF @ 1000 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 88W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1700 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7-13
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 7.4A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 12V、15V	ベース品番 IMBF170
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 650ミリオーム @ 1.5A、15V