Name: IGC090S20S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND
Price: 921.8 JPY
Availability: OutOfStock

新製品

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IGC090S20S1XTMA1
DigiKey製品番号	448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IGC090S20S1XTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IGC090S20S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IGC090S20S1XTMA1
商品概要	200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
メーカーの標準リードタイム	9 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 12A（Ta）、46A（Tc） 3.3W（Ta）、45W（Tc）面実装 PG-TSON-6-2
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolGaN™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	12A（Ta）、46A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	9ミリオーム @ 10A、5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.9V @ 5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	8.5 nC @ 5 V
Vgs（最大）	±6.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	800 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.3W（Ta）、45W（Tc）
動作温度	-40°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TSON-6-2
パッケージ/ケース	6-PowerTDFN