Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 1645.6 JPY
Availability: InStock

新製品

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IAUTN15S6N025ATMA1
DigiKey製品番号	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IAUTN15S6N025ATMA1
商品概要	MOSFET_(120V 300V)
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 245A（Tj） 357W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IAUTN15S6N025ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 270µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 139 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 9900 pF @ 75 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 357W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 150 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 245A（Tj）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 8V、10V	サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.5ミリオーム @ 100A、10V	パッケージ/ケース 8-PowerSFN

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