Name: IAUMN08S5N013GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN08S5N013GAUMA1TR-ND
Price: 943.8 JPY
Availability: OutOfStock

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IAUMN08S5N013GAUMA1
DigiKey製品番号	448-IAUMN08S5N013GAUMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IAUMN08S5N013GAUMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IAUMN08S5N013GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IAUMN08S5N013GAUMA1
商品概要	MOSFET_(75V 120V(
メーカーの標準リードタイム	26 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 250A（Tj） 307W（Tc）面実装 PG-HSOG-4-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IAUMN08S5N013GAUMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 5
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	250A（Tj）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.3ミリオーム @ 100A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.8V @ 214µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	179 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	12496 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	307W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-HSOG-4-1
パッケージ/ケース	4-PowerSFN