
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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F48MR12W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-F48MR12W2M1HB70BPSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | F48MR12W2M1HB70BPSA1 |
商品概要 | LOW POWER EASY |
メーカーの標準リードタイム | 29 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 100A 20mW シャーシマウント |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | F48MR12W2M1HB70BPSA1 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Infineon Technologies | |
シリーズ | ||
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | 4個のNチャンネル(フルブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 100A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 12ミリオーム @ 100A、18V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 5.15V @ 40mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 297nC @ 18V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 8800pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 20mW | |
動作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
在庫:11個
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数量
価格はすべてJPYです
トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥30,437.00000 | ¥30,437 |
| 15 | ¥26,529.00000 | ¥397,935 |
| 単価(消費税抜き): | ¥30,437.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥33,480.70000 |

