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F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-F435MR07W1D7S8B11ABPSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 |
商品概要 | MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE |
メーカーの標準リードタイム | 22 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 650V 35A シャーシマウント モジュール |
データシート | データシート |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Infineon Technologies | |
シリーズ | ||
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET（金属酸化物） | |
構成 | 4個のNチャンネル（フルブリッジ） | |
FET機能 | - | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 35A | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 39.4ミリオーム @ 35A、10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 4.45V @ 1.74mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 141nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 6950pF @ 400V | |
電力 - 最大 | - | |
動作温度 | -40°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | モジュール | |
ベース品番 |
在庫：18個
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数量
価格はすべてJPYです
トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9,368.00000 | ¥9,368 |
| 24 | ¥6,528.66667 | ¥156,688 |
| 120 | ¥6,247.27500 | ¥749,673 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥9,368.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥10,304.80000 |
