Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 185.9 JPY
Availability: InStock

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BSZ120P03NS3GATMA1
DigiKey製品番号	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ120P03NS3GATMA1
商品概要	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
メーカーの標準リードタイム	14 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 11A（Ta）、40A（Tc） 2.1W（Ta）、52W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ120P03NS3GATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	11A（Ta）、40A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	12ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.1V @ 73µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	45 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±25V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	3360 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.1W（Ta）、52W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	BSZ120