Name: BSZ100N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 316.8 JPY
Availability: InStock

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BSZ100N06LS3GATMA1
DigiKey製品番号	BSZ100N06LS3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSZ100N06LS3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSZ100N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ100N06LS3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 11A（Ta）、20A（Tc） 2.1W（Ta）、50W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ100N06LS3GATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 23µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 45 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3500 pF @ 30 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.1W（Ta）、50W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Ta）、20A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 BSZ100
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 10ミリオーム @ 20A、10V

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DMT6009LFG-7	Diodes Incorporated	218	DMT6009LFG-7DICT-ND	¥289.00000	類似
DMT6010LFG-7	Diodes Incorporated	16,310	DMT6010LFG-7DICT-ND	¥271.00000	類似
RH6L040BGTB1	Rohm Semiconductor	9,270	846-RH6L040BGTB1CT-ND	¥497.00000	類似