Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 394.9 JPY
Availability: InStock

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BSZ0901NSIATMA1
DigiKey製品番号	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSZ0901NSIATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ0901NSIATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 25A（Ta）、40A（Tc） 2.1W（Ta）、69W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8-FL
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ0901NSIATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 41 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2600 pF @ 15 V
部品状況購入可能最終日あり	FET機能ショットキーダイオード（本体）
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.1W（Ta）、69W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 25A（Ta）、40A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8-FL
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.1ミリオーム @ 20A、10V	ベース品番 BSZ0901

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BSZ0501NSIATMA1	Infineon Technologies	1,445	448-BSZ0501NSIATMA1CT-ND	¥395.00000	メーカー推奨品
CSD17575Q3	Texas Instruments	0	296-39994-1-ND	¥267.00000	類似
CSD17575Q3T	Texas Instruments	2,964	296-37961-1-ND	¥357.00000	類似
FDMC7660DC	onsemi	41	FDMC7660DCCT-ND	¥409.00000	類似