Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 313.5 JPY
Availability: InStock

BSZ0901NSIATMA1
DigiKey製品番号	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSZ0901NSIATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ0901NSIATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 25A（Ta）、40A（Tc） 2.1W（Ta）、69W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8-FL
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ0901NSIATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	購入可能最終日あり
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	25A（Ta）、40A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.1ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	41 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2600 pF @ 15 V
FET機能	ショットキーダイオード（本体）
電力散逸（最大）	2.1W（Ta）、69W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	BSZ0901

数量	単価	請求価格
5,000	¥68.55220	¥342,761
10,000	¥65.72540	¥657,254

単価（消費税抜き）:	¥285.00000
単価（消費税込み）:	¥313.50000

BSZ0901NSIATMA1