Name: BSZ065N03LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ065N03LSATMA1TR-ND
Price: 242 JPY
Availability: InStock

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BSZ065N03LSATMA1
DigiKey製品番号	BSZ065N03LSATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSZ065N03LSATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSZ065N03LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ065N03LSATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 12A（Ta）、40A（Tc） 2.1W（Ta）、26W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8-FL
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ065N03LSATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 10 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 670 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.1W（Ta）、26W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8-FL
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）、40A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 BSZ065
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6.5ミリオーム @ 20A、10V