Name: BSS225H6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS225H6327FTSA1TR-ND
Price: 157.3 JPY
Availability: InStock

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BSS225H6327FTSA1
DigiKey製品番号	BSS225H6327FTSA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSS225H6327FTSA1CT-ND - カットテープ（CT） BSS225H6327FTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSS225H6327FTSA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 90mA（Ta） 1W（Ta）面実装 PG-SOT89
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSS225H6327FTSA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 5.8 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ SIPMOS®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 131 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 1W（Ta）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 90mA（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT89
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-243AA
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 45オーム @ 90mA、10V	ベース品番 BSS225
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.3V @ 94µA