Name: BSS225H6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS225H6327FTSA1TR-ND
Price: 143 JPY
Availability: InStock

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BSS225H6327FTSA1
DigiKey製品番号	BSS225H6327FTSA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSS225H6327FTSA1CT-ND - カットテープ（CT） BSS225H6327FTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSS225H6327FTSA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
メーカーの標準リードタイム	10 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 90mA（Ta） 1W（Ta）面実装 PG-SOT89
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSS225H6327FTSA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	SIPMOS®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	90mA（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	45オーム @ 90mA、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.3V @ 94µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	5.8 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	131 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1W（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-SOT89
パッケージ/ケース	TO-243AA
ベース品番	BSS225

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