BSS119NH6433XTMA1 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 0.6 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ OptiMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 20.9 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	電力散逸（最大） 500mW（Ta）
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 190mA（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT23-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6オーム @ 190mA、10V	ベース品番 BSS119
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.3V @ 13µA

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BSS119NH6433XTMA1