Nチャンネル、デプレッションモード 200 V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 PG-SOT223-4-21
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BSP149L6327

DigiKey製品番号
2156-BSP149L6327-ND
メーカー
メーカー製品番号
BSP149L6327
商品概要
N-CHANNEL POWER MOSFET
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル、デプレッションモード 200 V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 PG-SOT223-4-21
データシート
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製品属性
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カテゴリ
メーカー
シリーズ
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
FETタイプ
技術
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
0V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
1.8オーム @ 660mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
1V @ 400µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
14 nC @ 5 V
Vgs(最大)
±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
430 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
1.8W(Ta)
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
PG-SOT223-4-21
パッケージ/ケース
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