Name: BSC252N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC252N10NSFGATMA1TR-ND
Price: 493.9 JPY
Availability: InStock

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BSC252N10NSFGATMA1
DigiKey製品番号	BSC252N10NSFGATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC252N10NSFGATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC252N10NSFGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC252N10NSFGATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 7.2A（Ta）、40A（Tc） 78W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC252N10NSFGATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 43µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 17 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1100 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 78W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 7.2A（Ta）、40A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 BSC252
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 25.2ミリオーム @ 20A、10V

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関連リソース

代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD19534Q5A	Texas Instruments	35,675	296-43636-1-ND	¥264.00000	類似
FDMS3662	onsemi	9,447	FDMS3662CT-ND	¥689.00000	類似
FDMS3672	onsemi	2,958	FDMS3672CT-ND	¥669.00000	類似
FDMS86104	onsemi	15,434	FDMS86104CT-ND	¥597.00000	類似
PSMN020-100YS,115	Nexperia USA Inc.	35,146	1727-4286-1-ND	¥289.00000	類似