Name: BSC109N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC109N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 409.2 JPY
Availability: InStock

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BSC109N10NS3GATMA1
DigiKey製品番号	BSC109N10NS3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC109N10NS3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC109N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC109N10NS3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 63A（Tc） 78W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC109N10NS3GATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 45µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 35 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2500 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 78W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 63A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 BSC109
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 10.9ミリオーム @ 46A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD19533Q5A	Texas Instruments	4,573	296-37479-1-ND	¥397.00000	類似
CSD19533Q5AT	Texas Instruments	238	296-44472-1-ND	¥535.00000	類似
DI100N10PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4,580	4878-DI100N10PQ-AQCT-ND	¥557.00000	類似
NTB6410ANT4G	onsemi	880	NTB6410ANT4GOSCT-ND	¥728.00000	類似
STL90N10F7	STMicroelectronics	2,196	497-13969-1-ND	¥387.00000	類似