Name: BSC0902NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0902NSIATMA1TR-ND
Price: 221.1 JPY
Availability: InStock

BSC0902NSIATMA1
DigiKey製品番号	BSC0902NSIATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC0902NSIATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC0902NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC0902NSIATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 23A（Ta）、100A（Tc） 2.5W（Ta）、48W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-6
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC0902NSIATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	23A（Ta）、100A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.8ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 10mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	32 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1500 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、48W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-6
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	BSC0902

単価（消費税抜き）:	¥201.00000
単価（消費税込み）:	¥221.10000

BSC0902NSIATMA1