Name: BSC026NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC026NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 364.1 JPY
Availability: OutOfStock

BSC026NE2LS5ATMA1 は在庫切れとなっており、繰越注文をご利用いただけます。

購入可能な代替品:

類似

Texas Instruments

在庫あり: 13,826

単価 : ¥455.00000

類似

Texas Instruments

在庫あり: 2,582

単価 : ¥520.00000

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

BSC026NE2LS5ATMA1
DigiKey製品番号	BSC026NE2LS5ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC026NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC026NE2LS5ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 24A（Ta）、82A（Tc） 2.5W（Ta）、29W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC026NE2LS5ATMA1 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 16 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±16V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1100 pF @ 12 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、29W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 25 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-7
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 24A（Ta）、82A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 BSC026
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.6ミリオーム @ 30A、10V