Name: BSC026NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC026NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 319 JPY
Availability: InStock

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BSC026NE2LS5ATMA1
DigiKey製品番号	BSC026NE2LS5ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC026NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC026NE2LS5ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 24A（Ta）、82A（Tc） 2.5W（Ta）、29W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC026NE2LS5ATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	25 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	24A（Ta）、82A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.6ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	16 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±16V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1100 pF @ 12 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、29W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-7
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	BSC026

数量	単価	請求価格
5,000	¥64.68080	¥323,404
10,000	¥63.65200	¥636,520

単価（消費税抜き）:	¥290.00000
単価（消費税込み）:	¥319.00000