Name: BSC018NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC018NE2LSATMA1TR-ND
Price: 321.2 JPY
Availability: InStock

BSC018NE2LSATMA1
DigiKey製品番号	BSC018NE2LSATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC018NE2LSATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC018NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC018NE2LSATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 29A（Ta）、100A（Tc） 2.5W（Ta）、69W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC018NE2LSATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	25 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	29A（Ta）、100A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.8ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2800 pF @ 12 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.5W（Ta）、69W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
ベース品番	BSC018

単価（消費税抜き）:	¥292.00000
単価（消費税込み）:	¥321.20000

BSC018NE2LSATMA1