Name: BSC014NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC014NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 456.5 JPY
Availability: InStock

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BSC014NE2LSIATMA1
DigiKey製品番号	BSC014NE2LSIATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC014NE2LSIATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC014NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC014NE2LSIATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 33A（Ta）、100A（Tc） 2.5W（Ta）、74W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC014NE2LSIATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 39 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2700 pF @ 12 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、74W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 25 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-7
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 33A（Ta）、100A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 BSC014
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.4ミリオーム @ 30A、10V

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BSC015NE2LS5IATMA1	Infineon Technologies	0	448-BSC015NE2LS5IATMA1CT-ND	¥362.00000	メーカー推奨品
CSD16401Q5	Texas Instruments	3,499	296-24525-1-ND	¥595.00000	類似
CSD17556Q5BT	Texas Instruments	780	296-CSD17556Q5BTCT-ND	¥670.00000	類似