Name: BSC009NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LSATMA1TR-ND
Price: 469.7 JPY
Availability: InStock

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BSC009NE2LSATMA1
DigiKey製品番号	BSC009NE2LSATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC009NE2LSATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC009NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC009NE2LSATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 41A（Ta）、255A（Tc） 2.5W（Ta）、96W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC009NE2LSATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 126 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5800 pF @ 12 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 2.5W（Ta）、96W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 25 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-7
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 41A（Ta）、255A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 BSC009
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 0.9 ミリオーム @ 30A、10V