AUIRLR3636TRL Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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購入可能な代替品:

類似

Infineon Technologies

在庫あり: 689

単価 : ¥387.00000

類似

onsemi

在庫あり: 529

単価 : ¥412.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 49 nC @ 4.5 V
メーカー Infineon Technologies	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3779 pF @ 50 V
シリーズ HEXFET®	電力散逸（最大） 143W（Tc）
梱包形態テープ＆リール（TR）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
部品状況生産中止品	グレード自動車
FETタイプ Nチャンネル	認定 AEC-Q101
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA (DPAK)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6.8ミリオーム @ 50A、10V	ベース品番 AUIRLR3636
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 100µA

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環境および輸出に関する分類

AUIRLR3636TRL

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPD90N06S4L06ATMA2	Infineon Technologies	689	448-IPD90N06S4L06ATMA2CT-ND	¥387.00000	類似
NTD5862NT4G	onsemi	529	NTD5862NT4GOSCT-ND	¥412.00000	類似