AUIRFS8409-7P Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 460 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ HEXFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 13975 pF @ 25 V
梱包形態チューブ	電力散逸（最大） 375W（Tc）
部品状況生産中止品	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 240A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK（7-Lead）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-7、D2PAK（6リード + タブ）
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 0.75リオーム @ 100A、10V	ベース品番 AUIRF8409
Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 250µA

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関連リソース

代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STH320N4F6-6	STMicroelectronics	883	497-13838-1-ND	¥882.00000	類似

在庫：57個

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数量

価格はすべてJPYです

チューブ

数量	単価	請求価格
1	¥2,463.00000	¥2,463
50	¥1,412.38000	¥70,619

メーカーの標準パッケージ

注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。

単価（消費税抜き）:	¥2,463.00000
単価（消費税込み）:	¥2,709.30000

AUIRFS8409-7P