カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 100 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3000 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	電力散逸（最大） 140W（Tc）
部品状況生産中止品	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 75A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 5.5ミリオーム @ 75A、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPB80N04S404ATMA1	Infineon Technologies	1,824	IPB80N04S404ATMA1CT-ND	¥412.00000	メーカー推奨品
IPB015N04LGATMA1	Infineon Technologies	18	IPB015N04LGATMA1CT-ND	¥949.00000	類似
IPB015N04NGATMA1	Infineon Technologies	326	IPB015N04NGATMA1CT-ND	¥927.00000	類似
IPB70N04S406ATMA1	Infineon Technologies	1,607	IPB70N04S406ATMA1CT-ND	¥347.00000	類似
IXTA120N04T2	IXYS	0	IXTA120N04T2-ND	¥315.50333	類似

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