Name: AIMZH120R040M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZH120R040M1TXKSA1-ND
Price: 2601.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 43 nC @ 20 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） +23V、-5V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1264 pF @ 800 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 268W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 55A（Tc）	取り付けタイプスルーホール
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V、20V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-4-11
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 50ミリオーム @ 20A、20V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id印加時のVgs（th）（最大） 5.1V @ 6.4mA