Name: GT023N10T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT023N10T-ND
Price: 854.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.3V @ 250µA
メーカー Goford Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 90 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 8086 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 500W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 140A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.7ミリオーム @ 20A、10V

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