Name: G7K2N20HE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G7K2N20HETR-ND
Price: 137.5 JPY
Availability: InStock

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G7K2N20HE
DigiKey製品番号	3141-G7K2N20HETR-ND - テープ＆リール（TR） 3141-G7K2N20HECT-ND - カットテープ（CT） 3141-G7K2N20HEDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Goford Semiconductor
メーカー製品番号	G7K2N20HE
商品概要	N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 2A（Tc） 1.8W（Tc）面実装 SOT-223
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 700mOhm @ 1A, 10V
メーカー Goford Semiconductor	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
シリーズ TrenchFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 10.8 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 568 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 1.8W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 2A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-261-4、TO-261AA