Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 602.8 JPY
Availability: InStock

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G080P06M
DigiKey製品番号	3141-G080P06MTR-ND - テープ＆リール（TR） 3141-G080P06MCT-ND - カットテープ（CT） 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Goford Semiconductor
メーカー製品番号	G080P06M
商品概要	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
メーカーの標準リードタイム	8 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 195A（Tc） 294W（Tc）面実装 TO-263
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7.5ミリオーム @ 20A、10V
メーカー Goford Semiconductor	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
シリーズ TrenchFET®	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 186 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 15870 pF @ 30 V
FETタイプ Pチャンネル	電力散逸（最大） 294W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 195A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB