Name: DMTH10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPD-13TR-ND
Price: 334.4 JPY
Availability: InStock

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DMTH10H017LPD-13
DigiKey製品番号	31-DMTH10H017LPD-13TR-ND - テープ＆リール（TR） 31-DMTH10H017LPD-13CT-ND - カットテープ（CT） 31-DMTH10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMTH10H017LPD-13
商品概要	MOSFET 2N-CH 100V 59A PWRDI50
メーカーの標準リードタイム	20 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 100V 59A（Tc） 2.6W（Ta）、93W（Tc）面実装 PowerDI5060-8（タイプE）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Diodes Incorporated
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
技術	MOSFET（金属酸化物）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	59A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	17.4ミリオーム @ 17A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	28.6nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1986pF @ 50V
電力 - 最大	2.6W（Ta）、93W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ	PowerDI5060-8（タイプE）
ベース品番	DMTH10