Name: DMT6009LCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6009LCTDI-5-ND
Price: 278.3 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 250µA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 33.5 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±16V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1925 pF @ 30 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.2W（Ta）、25W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 37.2A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 12ミリオーム @ 13.5A、10V	ベース品番 DMT6009

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