Name: DMT10H015LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LFG-7DITR-ND
Price: 385 JPY
Availability: InStock

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DMT10H015LFG-7
DigiKey製品番号	DMT10H015LFG-7DITR-ND - テープ＆リール（TR） DMT10H015LFG-7DICT-ND - カットテープ（CT） DMT10H015LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMT10H015LFG-7
商品概要	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
メーカーの標準リードタイム	40 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 10A（Ta）、42A（Tc） 2W（Ta）、35W（Tc）面実装 POWERDI3333-8
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 250µA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 33.3 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1871 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2W（Ta）、35W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 10A（Ta）、42A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ POWERDI3333-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13.5ミリオーム @ 20A、10V	ベース品番 DMT10